반도체 핵심기술 중국 유출 혐의… 전 삼성·SK 임원, 보석 석방

국가 핵심기술인 D램 반도체 공정 기술을 중국에 유출한 혐의로 구속기소 됐던 삼성전자·하이닉스 출신 전직 임원들이 법원 결정에 따라 보석으로 풀려난 사실이 알려지며, 파문이 확산하고 있다.

이들은 삼성전자가 약 4조 원을 투입해 개발한 국가 핵심기술인 D램 공정 기술을 중국에 유출한 혐의를 받고 있다. 조선비즈 단독 보도에 따르면 지난 15일 서울중앙지법 형사24부는 산업기술보호법 위반 혐의 등으로 구속된 최 씨에 대해 직권으로 보석을 결정했다. 그는 작년 9월 처음 구속기소 된 데 이어 올해 3월 추가 기소됐으며, 형사소송법상 1심 구속 기한(6개월)이 만료되기 직전이었다.

검찰에 따르면 최 씨는 그 대가로 중국 반도체 기업의 지분 약 860억 원 상당을 넘겨받았고, 여기에 더해 18억 원 규모의 범죄 수익도 챙긴 것으로 드러났다. 함께 구속기소 됐던 또 다른 삼성전자 전직 임원 오 모 씨도 지난 8월 28일 보석으로 석방됐다. 오 씨는 같은 달 21일 보석을 신청했고 재판부가 이를 받아들였다. 두 사람에게는 각각 1억 원의 보증금과 주거지 제한, 출국 시 법원 허가 의무, 사건 관련자 접촉 금지, 전자발찌 부착 등 엄격한 조건이 부과됐다.

최 씨와 오 씨가 공동으로 운영한 중국 반도체 기업 ‘청두가오전(CHJS)’도 현재 재판에 회부된 상태다. 이번 사건은 국내 반도체 산업 보호와 기술 유출 방지의 중요성을 다시금 부각시키고 있다. 핵심 기술의 유출이 단순한 산업 문제가 아닌 국가 안보 및 미래 산업 경쟁력과 직결된 사안인 만큼 향후 재판 결과에 따라 기술 보호 정책 전반에 대한 제도적 재정비가 불가피할 전망이다.